5N 锗即Ge≥99.999%，杂质总含量≤10ppm，一般采用区熔提纯工艺制备，严控铁、铜、硅、砷、氧、碳等杂质，属于半导体、红外光学、光纤通信领域的超高纯半导体原料，供货形态包含锗锭、锗粒、锗棒、锗片、锗溅射靶坯。
产品概述
元素符号：Ge，CAS：7440-56-4
外观：灰白色类金属，带有金属光泽；质地硬而脆，易碎裂；颗粒为不规则碎粒
纯度：5N（Ge≥99.999%），可提供 GD-MS 全元素检测；更高规格可选 6N
密度：5.325 g/cm³
熔点：937.4℃，沸点：2830℃
生产链路：粗锗 → 精炼提纯 → 区熔提纯 → 5N 锗锭 → 深加工为锗粒、锗片、5N 锗靶材、锗单晶基材
核心理化特性
1. 优异红外透过性
在 2～14μm 中远红外波段透光性好，可见光不透过，折射率高，是红外镜头、红外窗口核心材料。
2. 半导体特性
属于 Ⅳ 族半导体，导电能力介于导体与绝缘体之间，可通过掺杂调节导电类型，用于制备高频半导体器件。
3. 极低杂质水平
区熔工艺大幅降低微量金属与气体杂质，真空镀膜放气少，膜层均匀，适合高端 PVD 蒸发、磁控溅射。
4. 化学稳定性
常温下耐空气、水、稀酸、稀碱；可溶于氢氟酸、浓硝酸、热强碱溶液。
5. 硬脆特性，室温塑性差，加工易崩边，切削加工需要控温。
典型应用领域
1. 红外光学
5N 锗粒用作电子束蒸发镀膜原料；锗锭用于生长锗单晶，加工红外镜头、热成像窗口、夜视光学元件。
2. 半导体与微电子
制备 SiGe 硅锗高速芯片、高频二极管、探测器；高纯锗单晶用于高纯锗 γ 射线探测器。
3. 光纤通信
光纤预制棒掺杂原料，提升光纤传输性能。
4. 航天光伏
砷化镓多结太阳能电池的锗衬底，卫星、航天飞行器电池基材。
5. 科研实验
光电材料、相变薄膜、半导体材料研发。