6N 铜即Cu≥99.9999%，杂质总含量≤1ppm，采用超高纯电解铜为原料，经多次真空熔炼、精炼提纯制备，严控氧、碳、硫、铁、镍、银等金属及气体杂质，属于半导体、量子、低温超导领域超高纯基础原料。供货形态包含铜粒、铜锭、铜棒、铜板、铜箔、溅射靶坯。
产品概述
元素符号：Cu，CAS：7440-50-8
外观：紫红色金属，光泽温润；致密坯料表面光洁；颗粒为短圆柱粒 / 不规则碎粒
纯度：6N（Cu≥99.9999%），可提供 GD-MS 全元素检测，可定制更低氧硫版本，更高规格可选 7N
密度：8.96 g/cm³
熔点：1085℃，沸点：2562℃
生产链路：高纯电解铜 → 真空精炼 + 多次重熔提纯 → 6N 铜锭 → 深加工为铜粒、铜棒、铜板、6N 铜溅射靶材
核心理化特性
1. 超高导电导热
纯度接近理论极限，电阻率极低，低温环境导热性能优异，RRR 残余电阻比值高，适合低温、量子器件热传导。
2. 极低杂质，镀膜稳定
氧、硫等杂质控制在极低水平，真空镀膜放气少，薄膜缺陷少，布线薄膜电阻均匀，适合集成电路铜互连薄膜。
3. 塑性优异
延展性好，可轧制、拉丝、冲压、机加工成型，易于制成超薄铜箔、细丝。
4. 化学特性
常温大气缓慢氧化；耐稀酸，易溶于硝酸、热浓硫酸；高纯材质杂质少，减少电子器件金属污染。
5. 低温性能突出，低温下不易脆化，适合超导、低温制冷设备构件。
典型应用领域
1. 半导体集成电路
6N 铜靶材 / 铜粒用于 PVD 镀膜，制备芯片铜互连导电层、金属布线层，是先进制程晶圆核心镀膜材料。
2. 低温超导与量子科技
超导磁体、低温恒温器热桥、量子器件散热基座，MRI 超导线圈配套高纯导体。
3. 光伏与薄膜电池
CIGS 铜铟镓硒薄膜太阳能电池，制备铜源蒸发原料。
4. 真空电子器件
真空器件电极、高功率微波管、射频器件导电膜。
5. 科研实验
新材料研发、低温试样、纳米薄膜、光电材料试验。
6. 高端精密电子
MEMS 器件、高精度传感器、高频器件导电层。