4N5 铬粒即金属铬纯度≥99.995%，杂质总含量≤50ppm，以高纯电解铬片为原料，经真空脱气、真空熔炼提纯后裁切制成颗粒，是电子束蒸发镀膜、半导体、高端科研常用高纯蒸发原料。
产品概述
元素符号：Cr，CAS：7440-47-3
外观：银白带浅蓝光泽金属颗粒，分为短圆柱粒、不规则碎粒；表面洁净无氧化皮、油污
纯度：4N5（Cr≥99.995%），可 GD-MS 检测，严控 Fe、Si、Al、Cu、O、N、C 等金属与气体杂质；更高规格可选 5N
常规粒度：Φ2×3mm、Φ3×4mm，1～6mm 不规则颗粒，粒度可定制
密度：7.19 g/cm³
熔点：1907℃，沸点 2671℃
生产链路：高纯电解铬片 → 真空熔炼提纯 → 4N5 铬坯 → 裁切破碎 → 4N5 铬粒
核心理化特性
1. 极低杂质，镀膜放气少
气体杂质控制水平高，真空蒸发过程放气量低，薄膜针孔少，膜层均匀，降低薄膜缺陷，适配高端光学、半导体薄膜制备。
2. 高硬度
单质铬莫氏硬度约 8.5，室温质地偏脆；沉积铬膜具备高硬度、耐磨特性。
3. 自钝化防护
常温表面形成致密氧化膜，大气环境下耐氧化；高温环境易氧化。
4. 薄膜应力稳定
热膨胀系数低，沉积薄膜不易出现应力开裂，适合遮光层、粘附层。
5. 导电性能良好，适配电子束蒸发，可反应制备氮化铬硬质涂层。
6. 反铁磁特性，适合磁性薄膜科研试验。
典型应用领域
1. 半导体与显示镀膜
电子束蒸发原料，沉积金属铬遮光膜、粘附层、金属阻挡层，用于芯片、LCD、OLED 器件薄膜。
2. 光学真空镀膜
制备金属铬光学膜、衰减膜、多层介质膜配套金属层。
3. 硬质涂层
反应蒸发制备氮化铬 CrN 耐磨镀层，用于刀具、模具耐磨防护。
4. 特种合金熔炼
高端合金添加组元，提升合金耐磨、抗氧化性能。
5. 科研实验
高纯熔炼、磁性薄膜、新材料研发、真空器件试验。