铌平面靶为平板式磁控溅射靶材，常见矩形、圆形规格，采用高纯金属铌坯料加工，背面绑定无氧铜或钼背板，适配平板磁控溅射阴极。氩等离子体轰击靶面可沉积金属铌薄膜；通入氧气、氮气进行反应溅射，可制备 Nb₂O₅五氧化二铌、NbN 氮化铌功能薄膜。适合单片镀膜设备、小批量生产以及科研打样场景。
纯度可选：3N5（99.95%）、4N（99.99%）、4N5；外形尺寸、厚度、安装定位孔均可按图纸定制。
材料特性与加工工艺
材料特性
铌为难熔金属，熔点 2468℃，塑性佳，常温化学稳定性强，耐酸碱腐蚀；材料无磁性，不会干扰溅射内部磁场。
金属 Nb 膜：扩散阻挡层、耐腐蚀基底膜；
Nb₂O₅五氧化二铌：高折射率光学薄膜，用于多层增透、减反膜系；
NbN 氮化铌：硬质防护膜，同时具备超导特性。
制备工艺
1. 坯料成型：真空熔炼铌锭，锻造、轧制，真空去应力退火，优化晶粒组织，降低溅射产生颗粒；
2. 精密机加工：车铣切割成型，靶面研磨抛光，严控平面度与表面粗糙度；
3. 背板绑定：采用铟焊或扩散焊将铌材与背板结合，保障热传导效率；
4. 后处理：超声洁净清洗、真空除气、探伤检测，减少镀膜过程起弧、颗粒缺陷。
核心优势
1. 平板结构，加工周期短，样品打样、小批量试制成本友好；
2. 靶材致密度高、晶粒均匀，小面积基板膜厚与成分稳定；
3. 支持 DC 直流溅射，可通入反应气体制备氧化铌、氮化铌薄膜；
4. 膜层附着力良好，光学、半导体、超导多领域均可使用。
产品局限
溅射刻蚀只集中在靶面跑道区域，靶材利用率偏低；长时间大功率溅射时，对背板水冷条件要求较高，不适用于大面积卷对卷连续量产产线。
典型应用
1. 光学镀膜：光学镜片、滤光片、红外元器件，制备 Nb₂O₅高折射率多层光学膜；
2. 半导体微电子：芯片铜互连扩散阻挡层；
3. 超导领域：NbN 超导薄膜，超导器件试样研发；
4. 精密防护涂层：精密构件耐磨耐腐蚀薄膜；
5. 科研院校：薄膜新材料研发、真空镀膜实验。