4N 铬靶指铬纯度≥99.99%**的金属铬溅射靶材，杂质总含量≤100ppm，采用高纯电解铬原料，经真空熔炼、热加工、晶粒调控、精密机加工制备，可绑定无氧铜 / 钼背板，用于磁控溅射 PVD 薄膜制备，是半导体、光掩膜、显示、硬质镀膜行业的高端溅射耗材。
产品概述
元素符号：Cr，CAS：7440-47-3
外观：银白带淡蓝色金属靶面，镜面精磨，无裂纹、气孔、油污；有平面圆靶、矩形靶，也可定制旋转管靶
纯度：4N（Cr≥99.99%），可 GD-MS 检测，严控 Fe、Si、Al、Cu、O、N、C 等杂质；可选 4N5、5N 更高纯度
致密度：≥98% 理论密度（7.19 g/cm³）
熔点：1907℃，沸点 2671℃
背板选项：无氧铜、钼背板，采用扩散焊 / 铟焊绑定，提升导热，抑制溅射时靶材开裂
生产链路：高纯电解铬片 → 真空熔炼 → 4N 铬坯 → 锻轧 / HIP 致密化 → 晶粒调控 → CNC 精密加工 → 研磨清洗 → 背板绑定 → 无损检测 → 4N 铬靶成品
核心理化特性
1. 晶粒均匀，溅射稳定：精细可控晶粒，溅射过程起弧少，产生颗粒少，薄膜厚度均匀，降低器件缺陷
2. 沉积铬膜附着力强：铬膜对玻璃、陶瓷、硅基底粘附性优异，常作为多层膜的粘附打底层
3. 高硬度薄膜：溅射制备金属铬膜，反应溅射可生成 CrN 氮化铬硬质耐磨镀层
4. 低薄膜应力：热膨胀系数低，镀膜后不易出现膜层开裂、脱落，适合光掩膜、光学元器件
5. 导电性能良好，适配 DC 直流磁控溅射工艺
6. 反铁磁特性，适合磁性薄膜科研开发
典型应用领域
1. 半导体与光掩膜
沉积纳米级铬遮光层，用于光刻掩模版；也用作铜互连扩散阻挡层，阻挡铜原子迁移，保护芯片基底。
2. 平板显示行业
TFT-LCD、OLED 器件，制备栅线、信号线路、遮光薄膜。
3. 硬质防护涂层
反应溅射制备氮化铬 CrN 镀层，用于刀具、模具耐磨防腐涂层。
4. 光学镀膜
制备金属衰减膜、多层光学膜系配套金属层。
5. 装饰镀膜
五金、汽车配件、消费电子外观耐磨金属镀层。
6. 科研实验
磁性薄膜、微电子器件、新材料薄膜研发。