多晶硅靶材，属于半导体类溅射靶材，分为平面多晶硅靶与旋转管靶两种结构，由大量取向随机的硅晶粒组成，区别于单晶硅靶。磁控溅射工况下，氩离子轰击靶面释放硅原子；通入反应气体，可制备 SiOₓ、SiNₓ硅基化合物薄膜。平面款一般绑定无氧铜背板使用，适配单片镀膜设备；旋转管靶多用于大面积连续产线。
纯度规格：4N～6N；可制备本征硅、硼掺杂 P 型、磷 / 砷掺杂 N 型靶材，电阻率按需调控；外形尺寸、厚度、定位孔可定制。
材料特性与加工工艺
材料特性
硅属于半导体材料，化学稳定性强；掺杂后可调整导电能力，适配射频 RF 溅射，部分掺杂型号支持直流 DC 溅射。
本征多晶硅靶：高阻，多用于 SiOₓ、SiNₓ介质膜制备；
硼 / 磷掺杂多晶硅靶：具备导电性，直接沉积掺杂硅薄膜；
反应溅射：通入氧气 / 氮气，生成氧化硅、氮化硅绝缘钝化膜。
制备工艺
1. 坯体制备：高纯多晶硅原料，采用粉末冶金、热压、热等静压或者 CVD 沉积工艺成型；
2. 精密机加工：切割、研磨、抛光，严格控制平面度、粗糙度，降低颗粒；
3. 绑定工艺：铟焊将多晶硅坯与无氧铜背板结合，保障散热；
4. 后处理：洁净清洗、真空除气、探伤检测，减少镀膜起弧、颗粒缺陷。
核心优势
1. 晶粒可控，大面积基板膜层均匀性好；相比单晶硅靶，生产成本更友好；
2. 支持本征、P 型、N 型多种掺杂方案，适配不同薄膜电学指标；
3. 可直接沉积硅薄膜，也可反应溅射制备氧化硅、氮化硅介质膜，用途广泛；
4. 高致密度坯料，孔隙少，溅射过程颗粒污染低，满足面板、光伏、半导体的良率要求。
使用注意点
本征高阻多晶硅通常只能采用 RF 射频溅射；靶材脆性较大，绑定、转运和装机时需要避免冲击磕碰。平面靶依旧只有跑道区域被刻蚀，靶材利用率低于旋转多晶硅管靶。
典型应用
1. 平板显示 TFT：LCD/OLED 背板，沉积多晶硅有源层；
2. 薄膜光伏：非晶硅、微晶硅薄膜电池，制备本征 / 掺杂硅光吸收层；
3. 半导体器件：栅极多晶硅层、钝化层、MEMS 微结构薄膜；
4. 光学镀膜：红外光学元件，SiOₓ、SiNₓ多层光学膜；
5. 存储器件：相变存储器、阻变存储器硅基功能层。